新能源汽车和光伏,储能设施在全球加速普及,为第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。长电科技厚积薄发定位创新前沿,多年来面向第三代半导体功率器件开发完成的高密度成品制造解决方案进入产能扩充阶段,预计2024年起相关产品营收规模翻番,将有利促进第三代半导体器件在全球应用市场的快速上量。
碳化硅,氮化镓产品相对于传统的硅基功率器件具有更高的开关速度,支持高电流密度,耐受更高的温度,低导通和开通损耗的同时,也伴随着一些挑战,如寄生电感效应、封装寄生电阻、电磁干扰等。先进封装技术在解决这些挑战方面发挥了越来越为关键作用。
长电科技和全球领先客户共同开发的高密度集成解决方案融合了多种封装技术,包括开尔文(Kelvin Source)结构、倒装(Flip Chip)技术等,成功减少了寄生电感的干扰。同时,通过采用Clip和Ribbon键合工艺降低了封装的寄生电阻,从而提高了功率转换效率。其次,封装的散热能力直接关乎功率器件的稳定性和效率,长电科技解决方案通过顶部散热结构(TSC)等多种技术手段,极大降低了器件的热阻,改善了热传导路径,使封装的散热能力大幅提升,助力第三代半导体器件充分释放材料性能潜力。
包括英诺赛科在内的国内外众多领先的第三代半导体产品公司相继发布了大规模晶圆扩产计划,为长电科技的高密度中大功率器件成品制造解决方案提供了广阔的应用发展空间。根据市场分析机构Yole预测,2021-2027年全球碳化硅功率器件市场保持超过30%的年复合增长,长电科技积极扩产相关产能满足国内外客户的需求。
长电科技工业及智能应用事业部总经理金宇杰表示,“长电科技面向第三代半导体器件的高密度模组解决方案在开发和市场应用上均取得了可喜的成果,我们期待相关业务的营收规模在未来几年将获得显著增长。”
第三代半导体产品制造商英诺赛科表示:“长电科技一直是我们产品开发过程中的不可或缺的合作伙伴,双方在不断的创新和合作中激发灵感,共同推动第三代半导体技术的进步,共同为市场带来更多创新产品。”
